文档预览： 3 本征半导体的载流子浓度 1 、 本征半导体费米能级 在热平衡状态下，由于电子和空穴成 对产生，导带中的电子浓度应等于价带 中的空穴浓度 = ，其负电荷与正 电荷相等，... 点击下载

文档预览： (300K，本征Si,Ge的电阻率可求？ P99)3、轻掺杂时（例如杂质浓度小于1016cm-3）室温下杂质全部电离，载流子浓度近似等于杂质浓度，而迁移率随杂质浓度的变化不大，... 点击下载

文档预览： 如果将问题（2）中的砷扩散温度改为900oC，时间仍为3小时，同样的表面浓度，试计算砷的最终扩散分布和结深。（提示：900oC 下硅的本征载流子浓度为2(1018cm-3,... 点击下载

文档预览： 为硅的本征载流子浓度，在时，。图1是均匀掺杂的P-N结在外加反向偏压时，空间电荷区中的电荷浓度分布；电场强度分布；电势分布与空间电荷区宽度的关系。 P-N结空间电荷... 点击下载

文档预览： 半导体中存在着两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。本征半导体中， 自由电子与空穴是同时成对产生的， 因此， 它们的浓度是相等的。我们用n和p分别表示电子和... 点击下载

文档预览： 第三章 半导体中热平衡载流子的统计分布习题： 1, 2, 7,15引言：1.本章的主要任务：计算本征半导体和杂质半导体的热平衡载流子浓度及费米能级的位置，讨论n0、p0、EF... 点击下载

文档预览： 7.5 已知 KT 300= 硅的本征载流子浓度 310 105.1 *= cmni 硅的 PN 结N区掺杂为 316 105.1 *= cmND , P 区的掺杂为 318 105.1 *= cmNA ，求平衡时的... 点击下载

文档预览： 第三章半导体中载流子的统计分布 n 状态密度 1. K空间量子态的分布 2. 单位能量状态密度 n 载流子的统计分布 n 本征半导体的载流子浓度 n 杂质半导体的载流子浓度 n 一... 点击下载

文档预览： 近似外延温度区：外延半导体中多数载流子浓度近似等于掺杂浓度所对应的温度区本征温度区：外延半导体中热激发电子-空穴对超过掺杂浓度所对应的高温区冻结：外延半导体中... 点击下载

文档预览： ＂ 为玻尔兹曼常数，！D 为肖特基接触处的表面势，！+EE,2.F 是偏置电压，%） 和%- 是半导体的导带底和价带顶的有效态密度，&2 是本征载流子浓度，（* 和（E 分别是接... 点击下载