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特种微型位移和力传感器∶压阻SFM传感器、压电SFM传感器、电容式SFM传感器。- 微型光学传感器
- 微型红外和热传感器
Micro-System
微型机械量传感器的发展历史
半导体材料，特别是Ge和Si，作为机械量-电学量转换器利用起源于1957年。在此以前C.S.Smith发表了Ge和Si的压阻系数比其它材料高的结果。F.P.Burns用两块Si薄片制成了声音传感器，W.P.Mason等人几乎在同时发表了更实用化的同种器件。二者是压阻传感的开始。
这之后，随着半导体材料加工技术的快速发展，材料变得更容易获得。1960年左右丰田理研开发出了十分实用的半导体应变传感器，同时,W.P.Wason等人制作了细长的Si传感器，可以贴在弹性体上作为载荷计使用。1961和1962年的Instrument Society of America大会上半导体应变传感器相关的报告很多。在此基础上，MicroSystem、Baidwin-Lima-Hamiton、和Kulite-Bytrex公司都先后推出了半导体应变计商品。另外一些工业化生产的微传感器产品，包括在石英上制作的霍尔效应（Hall Effect）探头、加速度计、力传感器以及化学传感器等等。
可以用微系统技术开发的微型传感器种类很多，本课程无法全部介绍。所以我们只能从基本的传感原理讨论入手，然后从一些典型微传感器结构来看这些原理是如何应用的。
下表列出的是一些微系统机械量传感器中常用的传感原理。考虑的重点是∶是否需要电路集成、是否可以响应直流信号、温度系数、长程漂移、系统复杂性等。
第一 电阻和压阻应变传感
应变传感器(Strain Sensor)是许多微型器件上的一个集成部件，用于测量应变，或者直接测量结构的位移。应变传感器是特定的导体或者半导体，它被粘结或者直接加工在被侧表面上。传感器电阻随其尺寸按比例变化，这部分是由于尺寸变化(Streching)，也部分由于1856年Lord Kelvin发现压阻效应(Piezoresistive)。传感器的灵敏度因设计不同有很大差别。种类繁多的传感器可以在很大范围内实现线性度很好的测量，满足广泛的应用要求。
一般来说，其灵敏度可以用如下计量因子(Gauge Factor)表示
(这里?用的是径向应变)，我们可以用偏微分方法求出各个物理量对GF影响的表达式。
首先对电阻量表达式求微分
(in
Ω)。其中ρ电阻率，in Ω cm；L是长度in cm；A是截面积，in cm2。求偏微分得到:必须指出，这里把导体简化成了圆截面的线。用泊松比可以给出横向尺寸的相对变化。
上式除以R得
截面积A与其横向尺度D的2次方成正比，所以有
代入泊松比得到
因此电阻的偏微分表达式写成