电力电子事业部
TEG 大功率半导体器件主要参数介绍
正向平均电流 IF(AV)( 整流管) 通态平均电流 IT(AV)( 晶闸管) 是指在规定的管壳温度 TC 时,流过正弦半波电流的 平均值.如无其它说明,TEG 提供的是整流管 TC = 100
o
IF
ID
通态
C,晶闸管 TC = 70 oC 时的平均电流值.TEG 备有各种
VR 反向
I(Bo) IH V(BO) 断态
VD
器件平均电流与壳温关系的活页资料,欢迎索取. 图 2-1 表示晶闸管,整流管的工作区.
IR
图 2-1 伏安特性
正向方均根电流 IF(RMS)( 整流管) 通态方均根电流 IT(RMS)( 晶闸管) 是指在规定的管壳温度 TC 时,流过电流的有效值. 这是考虑到器件内部可能出现的电气和机械应力时规定 的有效电流最大值,即使安装最有效的散热器,亦不应使 IF(RMS)/IT(RMS)超过规定值.
浪涌电流 IFSM(整流管)和 ITSM(晶闸管) 样本中给出正弦半波 10ms 不重复浪涌电流值.在 确定极限值时,要将许多器件测试到损坏,然后选出一个
ITSM/IFSM
IT
浪涌电流值,使器件在承受该浪涌试验时还有足够的裕
IT(OV)/IF(OV)
度. 试验时采用样本规定的最高允许结温为初始温度, 在正向浪涌电流后,紧接着在后半周施加 80% VRRM. 如果 保护措施能确保浪涌电流后无反压,则允许浪涌电流超过 15% 图 2-2 是表示浪涌电流, 过载电流和重复峰值电流 关系的示意图.
IFRM/ITRM
0 IR
t
图 2-2 浪涌电流,过载电流 和重复峰值电流关系的示意图
邮编:412001 地址:湖南株洲市田心北门
TEL : ( 0733) 8498396 FAX: ( 0733) 8498494 第 1 页 共 8 页
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熔断器配合 I t 样本中给出熔断时间为 10ms 时的 I2t 数据.TEG 与国内许多熔断器制造厂家保持有密切的联系,能推荐 用于保护半导体器件所需的熔断器或熔断器组件.
IDM/IRM +25℃ +TJMAX
2
反向重复峰值电压 VRRM 断态重复峰值电压 VDRM(晶闸管 ) 是指反向(整流管或晶闸管)和断态(晶闸管)所能承 受的最大重复电压.试验时分别在常温和最高允许结温 下进行,增加电压使反向或断态(晶闸管) 峰值电流达到 样本规定的最大值为止,确定出反向或断态(晶闸管)重复 峰值电压. 图 2-3 是按断态和反向峰值电流进行电压分等的 示意图.
VDSM VDRM VDWM VD
断态和反向 电流限制
试验电压
VDM/VRM
图 2-3 按断态和反向峰值电流进行电压分等的示意
反向不重复峰值电压 VRSM 断态不重复峰值电压(晶闸管)VDSM 这是指用单脉冲 t = 5ms 测出的参数,TEG 晶闸管 及整流管不重复峰值电压与重复峰值电压之间的差值为 100V 图 2-4 是表示不重复峰值电压, 重复峰值电压及工 作电压之间关系的示意图.
t VRWM VRRM VRSM VR
图 2-4 阳-阴电压特性

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