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    文档作者:Christy M. Sweet
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    IFM /TM
    正向峰值电压 VFM(整流管) 通态峰值电压 VTM(晶闸管) 是指通过规定正向峰值电流 IFM(整流管)或通态峰值 电流 ITM(晶闸管)时的峰值电压.所有整流管的正向峰值 电压或晶闸管的通态峰值电压都是通过试验得出的.如 果用户提出要求,我们也可提供门槛电压 VT0 和斜率电 阻 rT, 通过门槛电压 VT0 和斜率电阻 rT 可以推算出任何电 流时的峰值电压降. 对一种器件而言, 正向或通态峰值
    邮编:412001 地址:湖南株洲市田心北门 TEL : ( 0733) 8498396 FAX: ( 0733) 8498494 第 2 页 共 8 页
    Vo
    rT
    VFM/VTM
    图 5 正向(整)和通态(晶)伏安特性
    URL: www.zesem.com E-mail:zesem@zelri.com.cn
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    电压是进行器件电流分等级的重要依据. 图 2-5 是正向(整流管)和通态(晶闸管)伏-安特 性.
    结壳热阻 Rjc 样本中给出双面冷却直流热阻值.试验时通主电流 100 秒后,在主电流断开后几毫秒内通以一个幅值较小 的热敏电流,测得热敏电压,并记下管壳台面温度.然 后, 在恒温的加热夹具上校出该热敏电压所对应的结温. 从结温,壳温和加热功率可以计算出结壳热阻 Rjc. 图 2-6 是表明双面冷却热阻分布的示意图.
    Rthja Rthjc Rthjc Rthcs 阳极侧 Rthcs 阴极侧 Rthja 散热体 结 管壳
    散热体
    图 2-6 双面冷却热阻分布示意图
    关断时间 tq(晶闸管) 普通晶闸管只给出典型值, 快速晶闸管给出严格值. 由于关断时间 tq 强烈地依赖于测试条件,因此,给 用户提供的数据中,通常也包括测试条件: l l l l l 通态峰值电流; 通态电流衰减率; 重加电压上升率; 反向电压; 结温等. 图 2-7 是电路换向关断时间,反向恢复电荷测 量波形.
    VT 0 VR VR tq t iT ITM diR/dt tTR=0 Q=∫ iRdt t=0 tc t
    0 iR
    VD dVD/dt
    图 2-7 电路换向关断时间,反向恢复电荷测量波形
    反向恢复电荷 Qr 本所的快速整流管附有反向恢复电荷 Qr 的数据;普 通整流管和普通晶闸管的反向恢复电荷数据仅在订货时 事先约定后才提供.与关断时间相似,反向恢复电荷数 据也与测试条件有密切的关系,因此,在提供反向恢复 电荷数据时,通常也附上测试条件.本所备有各种测试 条件对反向恢复电荷 Qr 影响关系的活页资料, 欢迎索取. 通态电流临界上升率 di/dt(晶闸管)
    邮编:412001 地址:湖南株洲市田心北门 TEL : ( 0733) 8498396 FAX: ( 0733) 8498494 第 3 页 共 8 页 URL: www.zesem.com E-mail:zesem@zelri.com.cn
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    是指从阻断状态转换到导通状态时,晶闸管所能承 受的通态电流上升率最大值.试验时所采用的条件为: l l l l l l l IT = 2 × IT(AV); VD = 0.67 VDRM; f = 50 HZ ; t=5s; IFGM = 1.0 A tR = 0.5 s; tP = 50 s.
    0 t1 t 0.5ITM di/dt=0.5ITM/t1 i ITM
    图 2-8 通态电流临界上升率测量示意图
    特别强调指出,di/dt 耐量与门极电路条件有密切的 关系,使用时请参阅所推荐的门极负载线,并确保门极 脉冲前沿的陡度. 图 2-8 是通态电流临界上升率测量示意图.
    VD
    断态电压临界上升率 dv/dt 样本中所列的 dv/dt 值,是重加电压线性上升到 VD=0.67VDRM 时的数据.样本所列的数值对大部分用户 是足够了.如有更高要求时,应在订货时事先商定.
    0.9VDM VDM-阳极峰值电压
    0.1VDM
    图 2-9 是断态电压临界上升率测量波形示意图.
    0
    t1
    t2
    t
    图 2-9 断态电压临界上升率测量波形
    并联运行 并联运行的器件应认真加以挑选,使正向峰值电压 (整流管) 或通态峰值电压 (晶闸管) 有良好的匹配. 能 如果用户在订购时没有提出特别的匹配要求,则定购作 并联运行的器件将在样本规定的试验电流下允差 250 mV 范围内提供.

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