第四章MOSFET

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第四章 MOSFET

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2002.5 半导体器件 4.6 1 第四章 MOSFET 4.6 MOSFET模型 2002.5 半导体器件 4.6 2 4.6 MOSFET模型本节内容 ? MOSFET模型简介 ? MOS1和MOS2模型及模型参数介绍 ? 电容模型（介绍Meyer电容模型） ? 模型参数提取 2002.5 半导体器件 4.6 3 4.6.1 MOSFET模型简介 MOSFET模型发展至今，已有五十多个模型。下面简单介绍几个有代表性的模型： ? Level 1 —— MOS1模型（Shichman-Hodges模型），该模型是Berkley SPICE最早的MOST模型，适用于精度要求不高的长沟道MOST。电容模型为Meyer模型，不考虑电荷贮存效应 ? Level 2 —— MOS2模型，该模型考虑了部分短沟道效应，电容模型为Meyer模型或Ward-Dutton 模型。 Ward-Dutton模型考虑了电荷贮存效应。 2002.5 半导体器件 4.6 4 4.6.1 MOSFET模型简介 ? Level 3 —— MOS3模型，为半经验模型，广泛用于数字电路设计中，适用于短沟道器件，对于沟道长度≥ 2μm的器件所得模拟结果很精确。 BSIM模型 —— Berkeley Short-Channel IGFET

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