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    文档标题：大功率半导体激光器的阵列化技术
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    收稿日期：2000—12—08
    大功率半导体激光器的阵列化技术
    1 引言
    激光二极管随着大功率化发展，除通信
    及信息记录外，还在打印和显示、材料加工、
    医疗等许多领域使用。最近大功率激光二极
    管的件数和论文数急剧增加，在市场上销售
    大功率激光二极管的生产厂家数量增加、从
    产品的水平也可看到飞跃发展的大功率化、
    大规模化。
    激光二极管最基本的大功率化可以增加
    电流注入的条幅，称为宽展条幅，适用于固体
    激光的激励。在最近大功率化的开发尤其是
    波长 0.81!m 和 0.98!m 激光二极管的发展
    中，100!m 的单条激光二极管报导的连续波
    最大功率为 10 W 左右。但过分地增大条幅，
    容易产生横高次模振荡和丝状振荡，使均匀
    的激光振荡变得困难，且功率并不和条幅成
    比例增加、所以，为了得到更大功率，增幅的
    阵列化变得不可缺少。另外不仅要功率绝对
    值高，为了提高单位发光面积的光功率（光功
    率强度），需要高密度的配置增幅器。其结果
    是由于从激光二极管放出焦耳热的密度也变
    高，在大功率半导体激光阵列化技术中，激光
    二极管的实装技术和冷却技术也很重要，许
    多技术正在开发。
    作为大功率半导体激光阵列化技术，本
    文对激光二极管阵列的构造、激光二极管阵
    列的冷却技术、已知激光二极管阵列性能等
    作介绍。
    2 大功率半导体激光阵列

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