NPN 三极管/NPN TRANSISTOR
特点: 符合 RoHS 规范 FEATURES: ■ ROHS COMPLIANT
S8050-D
应用: 1W 乙类推挽功放 与 S8550-D 配对 APPLICATION: ■1W OUTPUT AMPLIFIER FOR PORTABLE RADIOS IN ClASS B PUSH-PULL OPERATION ■COMPLEMENTARY TO S8550-D 最大额定值 / ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃)
参数/ PARAMETER 集电极-基极电压/ Collector-Base Voltage 集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage 发射极-基极电压/ Emitter -Base Voltage 集电极电流/Collector current 集电极耗散功率/Total Power Dissipation 最高结温/Junction Temperation 贮存温度/Storage Temperation 符号/ SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC TJ TSTG 额定值/ RATING 30 24 6 1.5 1 150 -55~150 单位/ UNIT V V V A W ℃ ℃
1.Emitte
2 Base. 3. Collector
电特性 / ELECTRONIC CHARACTERISTICS(TA=25℃)
参数/ PARAMETER 集电极-基极截止电流 Collector- Base Cut-off Current 发射极-基极截止电流/ Emitter- Base Cut-off Current 集电极-发射极击穿电压/ Collector-Emitter Breakdown Voltage 发射极-基极击穿电压/ Collector-Base Breakdown Voltage 集电极-基极击穿电压/ Collector-Base Breakdown Voltage 集电极-发射极饱和电压/ Collector- Emitter Saturation Voltage 基极-发射极饱和电压/ Base-Emitter Saturation Voltage 基极-发射极电压/Base-Emitter Voltage 直流放大倍数/ DC Current Gain 特征频率 / Current Gain Bandwidth Product VBE(sat) VBE HFE1 HFE2 fT IC=800mA, IB=80mA, VCE=1V,IC=-10mA VCE=1V,IC=100mA VCE=1V,IC=5mA VCE=10V,IC=50mA 85 45 100 MHz 1.2 1 300 V V 符号/ SYMBOL ICBO IEBO BVCEO BVEBO BVCBO VCE(sat) 测试条件/ TEST CONDITIONS VCB=30V,IE=0 VEB=5V,IC=0 IC=2mA, IB=0 IE=100uA, IC=0 IC=100uA, IE=0 IC=800mA, IB=80mA, 24 6 30 0.5 最小值/ MIN 最大值/ MAX 100 100 单位/ UNIT nA nA V V V V
HFE1 分档 / HFE1 CLASSIFICATION
B 85-100 C 120-160 D 160-300
索尔半导体有限公司 Suoer Semiconductor Co., Ltd.
2008.01