昭和 40 年 6 月 3 日第三种邮便物认可平成 21 年 11 月 10 日発行(年 6 回 1,3,5,7,9,11 月の 10 日発行)富士时报第 82 巻第 6 号(通巻第 859 号)
ISSN 0367-3332
特集 エネルギー·环境分野に 贡献するパワー半导体

特集 エネルギー·环境分野に 贡献するパワー半导体
目次
特集 エネルギー·环境分野に贡献するパワー半导体
〔巻头言〕 次世代のパワーデバイスに向かって
松本俊
357( 1 )
パワー半导体の现状と展望
関康和·宝泉彻·山添胜
358( 2 )
ハイブリッド车用第2世代めっきチップ
藤井岳志·今川 鉄太郎·洞泽孝康
362( 6 )
ハイブリッド车用 IGBT 駆动 IC「Fi009」
鸢坂浩志·中川翔·今井诚
366(10)
3.3 kV IGBT モジュール
古闲丈晴·有田康彦·小林孝敏
371(15)
高速 IGBT モジュール
堀江峻太·小川省吾·高久拓
375(19)
IGBT モジュール「V シリーズ」の系列化
高桥孝太·吉渡新一·関野裕介
380(24)
表纸写真
インテリジェントパワーモジュール「V シリーズ IPM」
清水直树·高桥秀明·熊田 恵志郎
384(28)
Superjunction MOSFET
大西泰彦·大井明彦·岛藤贵行
389(33)
第 2 世代宇宙用高信頼性パワー MOSFET
井上正范·小林孝·丸山笃
393(37)
超低 I R ショットキーバリアダイオード
北村祥司·一ノ瀬 正树·中沢将刚
398(42)

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