接觸孔蝕刻停止層之伸張應力對 新穎 CMOSFET 特性探討 王柏清 正修科技大學 電子工程研究所 Ⅰ 摘要 利用覆蓋氮化矽接觸孔蝕刻停止 層 (Contact Etch Stop Layer，CESL) 對 CMOSFET施與單軸伸張應力 ，藉此探 討CESL會對nMOSFET特性的 ...

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