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场板抑制 GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究
下载该文档 文档格式:PDF 更新时间:2011-04-07 下载次数:0 点击次数:1
真实反映 AlN 插入层对沟道载流子迁移率的改善 作用[17] ,仿真中采用了测量获得的迁移率(1418 cm2 /V·s). 仿真中考虑了自发和压电极化效应,利 用极化相关理论 [...
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