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    文档标题：高性能 MOS 结构高频 C?V 特性测试仪
    文档作者：CNKI
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    总第 41 卷　第 467 期
    电测与仪表
    Vol.41 No.467
    2004 年　第 11 期
    Electrical Measurement & Instrumentation
    Nov. 2004
    高性能 MOS 结构高频 C?V 特性测试仪 *
    陈国杰，曹　辉，谢嘉宁
    （佛山大学　理学院，广东　佛山 528000）
    摘要：MOS 结构高频 CrV（电容r电压）特性测量是检测 MOS 器件制作工艺的重要手段。
    本文阐述了用高频检测法测量 MOS 电容的原理，介绍了用变频技术和集成芯片设计
    MOS 结构高频 CrV 特性测试仪的方法。该测试仪电路简单，成本低，分辨率高, 测量准
    确，稳定性好。
    关键词：MOS 电容；变频；放大器；测试仪
    中图分类号：TN386.1，TM934.2 文献标识码：B 文章编号：1001r1390（2004）11r0022r03
    CHEN Guojie，CAO Hui，XIE Jianing
    (School of Science, Foshan University, Foshan 528000, Guangdong，China)
    Abstract:The principle of MOS capacitance measurement based on the method of high
    frequency detection is presented. The design method of tester for high frequency CrV
    Characteristic of MOS structure using frequency conversion technique and integrated
    chip is introduced. The tester has advantages of simple circuit, low cost, high resoluZ
    tion, accurate result and good stabilization.
    Key words:MOS capacitor; frequency conversion; amplifier; tester
    High performance tester for high frequency
    C?V characteristic of MOS structure

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