模拟电子技术基础试卷及答案
一,填空(18分)
1.二极管最主要的特性是 单向导电性 .
2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V,经过电容滤波后为 12 V,二极管所承受的最大反向电压为 14 V.
3.差分放大电路,若两个输入信号uI1 = uI2,则输出电压,uO = 0 ;若u I1 = 100 V,u I 2 = 80 V则差模输入电压uId= =20V;共模输入电压uIc ==90 V.
4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器.
5.若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益为 80 dB,折合为 104 倍.
6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ = 0 ,静态时的电源功耗PDC = 0 .这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真.
7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V.
二,选择正确答案填空(20分)
1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( A ).
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管
C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管
2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D ).
A.P沟道增强型MOS管 B,P沟道结型场效应管
C,N沟道增强型MOS管 D,N沟道耗尽型MOS管
3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C ).
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大
4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻,RS 为常数,为使下限频率fL 降低,应( D ).
减小C,减小Ri B. 减小C,增大Ri
C. 增大C,减小 Ri D. 增大C,增大 Ri
5.如图所示复合管,已知V1的(1 = 30,V2的(2 = 50,则复合后的(约为( A ).
A.1500 B.80 C.50 D.30
6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( D ).
基本共射放大电路 B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路
7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A ).
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器
8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C ).
a.不用输出变压器 b.不用输出端大电容 c.效率高 d.无交越失真
9.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A ).
a.正向导通区 b.反向截止区 c.反向击穿区
三,放大电路如下图所示,已知:VCC = 12 V,RS = 10k,RB1 = 120 k, RB2 = 39 k,RC = 3.9 k,RE = 2.1 k,RL = 3.9 k,rbb' = 200 ,电流放大系数 ( = 50,电路中电容容量足够大,要求:
1.求静态值IBQ,ICQ 和UCEQ( 设UBEQ = 0.6 V );
2.画出放大电路的微变等效电路;
3.求电压放大倍数Au,源电压放大倍数Aus,输入电阻Ri,输出电阻Ro .
4.去掉旁路电容CE,求电压放大倍数Au ,输入电阻Ri . (12分)
解:
(1)

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