泾县二中高二（10）班期末素质检测电工试卷
（2005-2006学年度第一学期）2006/1/7______
姓名_______ 成绩 ________ _______
一． 填空题：
1．PN结加______ 时导通，加______ 时截止，这种特性为______ 。
2．二极管实质就是一个____ ，P区引出端叫____ ，N区引出端叫____ 。
3．按二极管所用材料可分为_______ 和________ 两类。，
4．硅二极管导通时的正向压降约为 _________ V。
5．使用二极管时应考虑的主要参数为_________ 和_________ 。
6．三极管有三个电极，分别为________ ，________ 和_______ 极。
7．三极管各电流的电流分配关系为_____________________ 。
8．三极管只有工作在_______ 状态，关系式Ic=BIb才成立。
9．三极管的三个主要极限参数是________ ，________ 和_________ 。
10．三极管有_______ ，________ 和________ 三个工作状态。
11．三极管工作在放大状态的条件是_______________ 。
12．硅二极管导通时正向压降为___ 伏，锗二极管导通时正向压降为___ 伏。
13．晶体三极管的反向饱和电流Icbo随温度升高而____ ，穿透电流Iceo随温度___
升高而____ ，Iceo与Icbo的关系是_____________ 。
14．在导体中导电的是________ ，在半导体中导电的不仅有________ ，而且还
有_________ ，这是半导体区别于导体的重要特征。
15．场效应管是一种_______ 控制型器件，即____ ___ 控制________ 。场效
具有输入电阻______ ，栅极电流_____ 噪声______ 的特点。
16．整流是将_________ 变成_______ 的过程。这是利用二极管的_______ 特
性实现整流。
二． 判断题：
1．晶体二极管击后立即烧毁。
2．晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，且不随反向
电压变化而变化；当反向电压大于击穿电压后，反向电流迅速增大。
3．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
4．晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极
和c极可以互换使用。
5．晶体三极管具有能量放大功能。
6．硅三极管的Icbo值要比锗三极管的小。
7．当集电极电流值Ic大于集电极最大允许Icm时，晶体管一定损坏。
8．结型场效应管起放大作用时，应在栅极加反向电压。
9．B值是反映晶体三极管共发射极电流放大能力的参数，而Gm是反映场效应管
栅源电压对漏极电流控制能力的参数。
10．Ugs=0时，能够工作在恒流区的场效应管是耗尽型MOS管。